一帖治愈你的焦虑：几年下来越混越差，一直退步

GRC艺术造型建筑面谱双瑜面谱材料是GRC艺术造型产品，帖越混越差以立体造型、肌理造型、材质造型为基础做出标准化规格产品。

基于CH17体系较低的Eloss是由于其独特的分子堆积增强了CT态和LE态之间的杂化，治愈直退使得CT态具有更高的发光效率，使得非辐射复合损失（Vnr）得以减小。更重要的是，焦虑年CH17形成了更独特的堆积模式（Mode5-双E/C模式，如图2d所示），这是Y6系列分子之前没有观察到的。

以PM6作为给体时，帖越混越差基于CH17的二元有机太阳能电池的能量转换效率（PCE）达到了17.84%，而在相同条件下，基于Y6的能量转换效率仅为16.27%。治愈直退CH17中这种双E/C模式的相邻分子之间更强的堆积导致了其堆积距离小于Y6最有效的堆积模式（Mode4）。这个工作首次对Y系列受体分子的中心核进行了改造，焦虑年使Y系列受体分子的结构改进不再局限于端基和烷基链，焦虑年有望大大促进新型非富勒烯受体材料的开发和有机太阳能电池能量转换效率的进一步提升。

南开大学的陈永胜教授等提出了多重共轭扩展策略，帖越混越差设计并开发了一类新型的A-D-A型电子受体CH17（结构如图1所示）：帖越混越差CH17以吩嗪作为中心核，并对末端单元进行了共轭延伸，同时实现了对中心核和末端单元的共轭扩展。Y系列分子的中心核单元（苯并[c][1,2,5]噻二唑）在其独特的三维（3D）网络分子堆积中起着至关重要的作用，治愈直退使得基于Y系列分子的有机太阳能电池在保持高效率的同时，治愈直退其能量损失也大大降低。

更重要的是，焦虑年双E/C模式在连接CH17的相邻晶胞中起着桥梁般的连接作用，通过π-π堆积使其分子沿c轴连续堆积，从而形成更有效的3D堆积网络。

在这种模式下，帖越混越差CH17的末端单元几乎完全堆叠在另一个CH17分子的中心单元上（双E/C模式），桥连噻吩也完全参与到这种堆积模式中。治愈直退（g）与肖特基接触和欧姆接触相关的带隙示意图。

焦虑年（e）具有20nmLG的三个弹道2DInSeFET的典型传输特性和已报道的最佳开关亚50-nm2DFET。然而，帖越混越差到目前为止，帖越混越差还没有实验结果表明，在0.7V的标准电源电压（商用硅10nm节点中的电源电压）下，基于2D半导体的FET的导通电流和跨导可以超过最先进的硅FET，基于2D半导体的FET的实验结果仍然远远落后于理论预测，不足以显示2D半导体的最终潜力。

治愈直退（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。该研究设计的InSeFET可以有效抑制短沟道效应，焦虑年其低亚阈值摆动（SS）为每十年75mV，漏极诱导的势垒降低（DIBL）为22mVV-1。